近日，由《半导体学报》组织评选的“2025年度半导体十大研究进展”结果正式发布。本中心成果“超宽带薄膜铌酸锂光电融合芯片”入选2025年度“半导体十大研究进展”。

在此项成果中，中心团队成功攻克了兼容大规模晶圆级制造与超大电光调制带宽特性的核心工艺难题。在薄膜铌酸锂集成工艺平台上实现超宽带薄膜铌酸锂光电融合芯片，首次实现了覆盖0.5 GHz至115 GHz超宽频带的任意频点无线信号产生、调制、发射与接收，最高无线传输速率达120 Gbps，为未来更畅通可靠的6G无线通信提供保障。

此次评选共征集到81项高水平候选成果，内容涵盖传统半导体、新材料、集成电路等多个研究领域，展现了我国半导体科研人员在关键领域取得的突破性进展。460位专家学者受邀参与此次评选，从学术原创性、技术前沿性、产业影响力等多个维度对候选成果进行了综合评价。最终遴选出10项优秀成果，评为2025年度“半导体十大研究进展”。

获奖名单链接：https://mp.weixin.qq.com/s/BNcrORgEBEdU2jS1jxG7FA